IR Yayıcılar IRED
Kızılberisi yayan diyotlar, ileri yönde kutuplandırdıklarında kızılberisi bölgede ışıma yapan katı hal (solid state) galyum arsenür aygıtlardır. Bu aygıtların genel yapısı Şekil:20de gösterilmiştir. Kavşak ileri yönde kutuplandığında pve n türü malzemeler arasında özel olarak oluşturulmuş birleşme bölgesinde, n-bölgesi elektronları ile p-bölgesi oyukları birleşirler. Bu birleşime sonucu açığa çıkan enerji, foton biçiminde ışıma ile ortama yayılır. Bu ışımanın bir bölümü malzeme(ler) tarafından geri yutulurken, bir bölümü de radyan enerji olarak yayılır.
İki tür IRED vardır ve her ikisinin üretiminde de silisyum katkılı epitaxial -yayınık-galyum arsenür kullanılmaktadır. GaAs diyotlar verimli ve güvenilir biçimde 940nm dalgaboyunda ışık üretebilmektedirler. İkinci tür olarak galyumun bir bölümü alüminyum ile değiştirilerek GaAlAs diyotlar üretilmektedir. Bu malzemenin yaydığı dalga boyu da 880nm olmaktadır. GaAlAs yayıcılar GaAs yaylalardan çok daha verimlidir. Ayrıca ürettiği dalgaboyu da silisyum sezicilere daha iyi uyum gösterdiğinden sistem duyarlılığına da katkıda bulunmaktadır.Ortalama bir IR yayıcı için mW olarak radyan ışıma gücü ile yapıdan geçen doğru akım arasındaki ilişki Şekil:21deki eğride verilmiştir. Görüldüğü gibi akım ile ışıma gücü arasında doğrusal bir orantı vardır.
Kızılberisi LEDler için bir başka grafik de Şekil:22de görülmektedir. Bu grafikte kılıfı üzerinde düz bir cam pencere olan ve yapısı içinde hüzmeleme sistemi bulunan mercekli kılıflar arasındaki ışıma açısı farkı görülüyor.
https://elektrikbilim.com/... linkleri sadece uyeler gorebilir !
UYE DEGILSENÄ°Z UYE OLUNUZ
DAHA ONCEDEN UYE OLDUYSANIZ UYE GIRISI YAPINIZ
Bu Konu Başlığına Henüz Yorum Yazılmamıştır
Konu Başlığına Mesaj Yazmak İçin
Ãœye Olunuz
Yada
Giriş Yapınız